Описание | Модуль памяти |
Тип оперативной памяти | DDR3 SDRAM |
Объем | 2048 МБ |
Частота памяти | 1600 МГц |
Пропускная способность | 12800 МБ/сек. |
Латентность | CL 11 |
Проверка и коррекция ошибок ECC | Нет |
Буферизация REG | Нет |
Напряжение питания | 1.5 В |
- Сортировать:
- по дате
+
отличная память, мне попались Тайваньские 2014 года , с маленькими 4 чипами , хоть и разница по времени в 7 недель , но одинаково хорошо работает на 1866 мгц с таймингами 9-11-10-28 на номинале 1.5 вольт)), чего не скажешь о сделанных в 2015 г (. Тайминги поставились матплатой сами,но думаю можно ещё чтото подкрутить
−
только плюсы